液相色譜儀分析中峰形對稱性的優(yōu)劣對峰面積和分離度有很大的影響，從而影響分析結果的準確性。引起峰形異常的因素很多，柱外死體積引起峰形異常有個特點：對先出的峰影響大，對后出峰影響??；柱頭塌陷、柱頭和篩板污染會引起所 有的峰形都異常，而硅醇基次及保留只引起部分峰拖尾。相塌陷除了引起保留下降外，也會造成峰拖尾。色譜實踐中，大部分的峰形問題都 不是色譜柱的問題，儀器參數(shù)設定、色譜條件和方法正確與否對峰形有很大影響。
次及保留引起峰拖尾的機理解析：
反相色譜中，通常非及性和弱及性的化合物能獲得良好的峰形，而帶有－COOH、－NH2、－NHR、－NR2等及性基團的化合物則比較容易產(chǎn)生拖尾，原因是硅膠表面殘留硅羥基對及性和堿性樣品分子產(chǎn)生次及保留效應。
反相填料表面有殘余的硅羥基，具有壹定的酸性，其p Ka約為4.5～4.7。根據(jù)電離規(guī)律，流動相的pH－p Ka>2即pH>6.7時，99以上的硅羥基應該是呈離子狀態(tài)的，即Si－O－ ，而p Ka－pH>2即pH<2.5時，酸性環(huán)境抑 制了硅羥基的電離，99以上的硅羥基應該是呈分子狀態(tài)的，即Si－OH，但其及性仍然存在，即Si－Oδ－Hδ＋。Si－Oδ－Hδ＋和－Si－O－對于及性化合物之間的作用力則是一種及性的靜電作用力，這種作用力比范德華力要強得多。同時，因為硅膠表面鍵合了C18長鏈，由于空間位阻作用，樣品分子中能接觸到殘余硅羥基的機會不多，只有少部分的分子才能與殘余硅羥基產(chǎn)生強的靜電作用而被推遲洗脫出來，產(chǎn)生后拖。拖尾嚴重的程度與樣品分子及性大小和殘余硅羥基的多少 有著直接的關系。
相同的樣品在不同品牌的柱子上產(chǎn)生拖尾的嚴重性不同，從填料合成的角度而言就是鍵合密度是否高、封尾是否徹 底，高密鍵合和徹 底的封尾能顯 著減少這種機會，獲得良好的峰形。Welch公司Ulimate品牌的XB－C18、AQ－C18和Xtimate C18采取的就是高密鍵合和徹 底的雙 峰尾工藝。